企业简介
上海华虹宏力半导体制造有限公司 main business:集成电路产品有关的设计、开发、制造、测试、封装，销售集成电路产品及相关技术支持，销售自产产品。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号.
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上海华虹宏力半导体制造有限公司的工商信息
- 310000400703096
- 91310000057674532R
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(台港澳法人独资)
- 2013年01月24日
- 张素心
- 782857.775900
- 2013年01月24日 至 2053年01月23日
- 上海市工商局
- 2013年01月24日
- 中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 集成电路产品有关的设计、开发、制造、测试、封装，销售集成电路产品及相关技术支持，销售自产产品。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海华虹宏力半导体制造有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | www.huahonggrace.com |
| 网站 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | www.hhgrace.com |
上海华虹宏力半导体制造有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 14501665 |  |
NORD-FLASH | 2014-04-30 | 印刷品；手册；海报；书籍；印刷出版物；说明书；杂志（期刊）；地图；宣传画；包装纸； | 查看详情 |
| 2 | 14573663 |  |
华虹宏力 HG | 2014-05-30 | 集成电路卡；印刷电路；电容器；半导体；芯片（集成电路）；印刷电路板；电子芯片；集成电路；集成电路用晶片；半导体器件； | 查看详情 |
| 3 | 14573668 |  |
华虹宏力 | 2014-05-30 | 质量评估；科学研究；替他人研究和开发新产品；技术项目研究；质量控制；质量检测；技术研究；工业品外观设计；信息技术咨询服务；把有形的数据或文件转换成电子媒体； | 查看详情 |
| 4 | 14241227 |  |
NORD-FLASH | 2014-03-25 | 计算机用磁盘驱动器；已录制的计算机程序(程序)；计算机软件(已录制)；基因芯片(DNA芯片)；芯片(集成电路)；半导体；集成电路；电子芯片；半导体器件；集成电路用晶片； | 查看详情 |
| 5 | 14573669 |  |
HG | 2014-05-30 | 集成电路卡；半导体器件；电子芯片；芯片（集成电路）；印刷电路板；集成电路用晶片；印刷电路；集成电路；电容器；半导体； | 查看详情 |
| 6 | 14573665 |  |
HHGRACE | 2014-05-30 | 集成电路卡；集成电路卡；集成电路用晶片；印刷电路；印刷电路板；电容器；集成电路；半导体；印刷电路；电容器； | 查看详情 |
| 7 | 14501662 |  |
NORD-FLASH | 2014-04-30 | 材料处理信息；打磨；碾磨加工；定做材料装配（替他人）；研磨抛光；金属铸造；金属电镀；金属处理；铜器加工；铁器加工； | 查看详情 |
| 8 | 14573666 |  |
HHGRACE | 2014-05-30 | 技术研究；技术项目研究；科学研究；替他人研究和开发新产品；质量控制；质量检测；质量评估；工业品外观设计；信息技术咨询服务；把有形的数据或文件转换成电子媒体； | 查看详情 |
| 9 | 14501664 |  |
NORD-FLASH | 2014-04-30 | 电视商业广告；为零售目的在通讯媒体上展示商品；在通讯媒体上出租广告时间；计算机网络上的在线广告；特许经营的商业管理；市场营销；进出口代理；替他人推销；拍卖；替他人采购（替其他企业购买商品或服务）； | 查看详情 |
| 10 | 14501661 |  |
NORD-FLASH | 2014-04-30 | 函授课程；教育；培训；安排和组织学术讨论会；安排和组织培训班；在线电子书籍和杂志的出版；提供在线电子出版物（非下载）；电子桌面排版；娱乐；在计算机网络上提供在线游戏； | 查看详情 |
| 11 | 14501660 |  |
NORD-FLASH | 2014-04-30 | 替他人研究和开发新产品；技术项目研究；物理研究；材料测试；包装设计；造型（工业品外观设计）；工业品外观设计；计算机软件更新；计算机系统分析；计算机系统远程监控； | 查看详情 |
| 12 | 14573664 |  |
华虹宏力 HG | 2014-05-30 | 科学研究；质量控制；质量评估；技术研究；技术项目研究；替他人研究和开发新产品；质量检测；工业品外观设计；信息技术咨询服务；把有形的数据或文件转换成电子媒体； | 查看详情 |
| 13 | 14573667 |  |
华虹宏力 | 2014-05-30 | 集成电路卡；电容器；芯片（集成电路）；电子芯片；半导体；集成电路；集成电路用晶片；印刷电路；印刷电路板；半导体器件； | 查看详情 |
| 14 | 14501663 |  |
NORD-FLASH | 2014-04-30 | 办公机器和设备的安装、保养和修理；计算机硬件安装、维护和修理；电器的安装和修理；机械安装、保养和修理； | 查看详情 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103871481B | 用于非挥发性存储器的逻辑控制器 | 2016.11.02 | 本发明公开了一种用于非挥发性存储器的逻辑控制器，包括：模式选择模块、上电逻辑模块、数据读写模块、自动 |
| 2 | CN102693994B | 背照式CMOS图像传感器的背面处理方法 | 2016.10.26 | 本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，包括，提供一衬底；在衬底的正面上形成图形化的 |
| 3 | CN102323646B | 光栅耦合器及其制作方法 | 2016.09.28 | 本发明涉及一种光栅耦合器及其制作方法，该种光栅耦合器利用CMOS晶体管的多晶硅层制作光栅，其制造方法 |
| 4 | CN103778943B | 一次编程元胞结构及其构成的晶体管阵列 | 2016.11.16 | 本发明一种一次编程元胞结构，包括三个同型MOS管，分别为选择管T1，传输管T2和编程管T3；选择管T |
| 5 | CN102694012B | 耗尽型MOS晶体管 | 2016.12.07 | 本发明提供了一种耗尽型MOS晶体管。根据本发明的耗尽型MOS晶体管包括：布置在衬底中的源极和漏极，源 |
| 6 | CN103208427B | 耗尽型MOS晶体管及其形成方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种耗尽型MOS晶体管及其形成方法，由于位于源极和漏极之间的栅极中，部分栅极覆盖阱区，另 |
| 7 | CN104217938B | 半导体结构的形成方法 | 2016.09.28 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供表面形成有若干栅极结构的衬底，且栅极结构侧壁表面形成有侧墙，相邻 |
| 8 | CN106252313A | 一种接合焊盘结构 | 2016.12.21 | 本发明提供了一种接合焊盘结构，包括：顶层通孔网格版图部分以及布置在顶层通孔网格版图部分中的网格内的顶 |
| 9 | CN103413763B | 超级结晶体管及其形成方法 | 2016.09.28 | 一种超级结晶体管及其形成方法，其中，超级结晶体管包括：半导体衬底内具有第一掺杂离子；位于半导体衬底表 |
| 10 | CN106252225A | 防止衬底杂质外扩散的方法 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种防止衬底杂质外扩散的方法，是在外延生长之前，先在衬底侧面形成氧化膜，然后再进行外延生 |
| 11 | CN102637696B | 闪存的存储单元及其形成方法 | 2016.09.14 | 一种闪存的存储单元及其形成方法，其中，所述闪存的存储单元包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的绝缘层 |
| 12 | CN102315132B | 高压晶体管及其制作方法 | 2016.09.14 | 本发明提供了一种高压晶体管的制作方法，通过在其高压阱上方一次形成相互分离的第一虚拟栅极、第二虚拟栅极 |
| 13 | CN105977226A | 密封环及防止芯片于切割时损伤的方法 | 2016.09.28 | 本发明提供了一种密封环及防止芯片于切割时损伤的方法，所述密封环包括多层金属层，其中至少一层所述金属层 |
| 14 | CN105977303A | 用于薄膜SOI结构的LDMOS器件结构 | 2016.09.28 | 一种用于薄膜SOI结构的LDMOS器件结构，包括：硅基底层、布置在硅基底层上的掩埋氧化物层、以及布置 |
| 15 | CN103840014B | 一种沟槽型肖特基二极管器件结构和工艺实现方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种沟槽型肖特基二极管器件结构，该结构包括：半导体衬底上，形成有外延区，沟槽被形成在外延 |
| 16 | CN106057903A | 屏蔽栅沟槽型MOSFET及其制造方法 | 2016.10.26 | 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET，包括：硅衬底上部的沟槽，沟槽由氧化膜分为两部分，沟槽的上部 |
| 17 | CN106019118A | 功率MOS失效位置的判定方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种功率MOS失效位置的判定方法，包含：步骤1，去除样品芯片表面钝化层，暴露出金属；步骤 |
| 18 | CN106098544A | 改善沟槽型双层栅MOS中介质层形貌的方法 | 2016.11.09 | 本发明公开了一种改善沟槽型双层栅MOS中介质层形貌的方法，其中：在沟槽内形成ONO结构的底部介质层； |
| 19 | CN106024607A | 屏蔽栅功率MOSFET的制造方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种屏蔽栅功率MOSFET的制造方法，各原胞的栅极结构形成步骤为：在硅衬底表面形成硬质掩 |
| 20 | CN106205665A | 存储器读取电路参考电流的获取方法及装置、读取方法 | 2016.12.07 | 一种存储器读取电路参考电流的获取方法及装置、读取方法。所述参考电流的获取方法包括：从存储阵列中选中与 |
| 21 | CN103886114B | 只读存储器版图生成方法 | 2016.11.02 | 本发明公开了一种只读存储器版图生成方法，在只读存储器版图上预留列译码金属线可编程通孔布局，并加入冗余 |
| 22 | CN103884727B | 一种检测掺磷二氧化硅中磷浓度的方法 | 2016.06.22 | 本发明涉及一种检测掺磷二氧化硅中磷浓度的方法，通过简单调节现有沉积设备中的沉积次数，以常规工艺参数， |
| 23 | CN103928380B | 一种利用辅助工具来测量晶圆接触角的方法 | 2016.08.31 | 一种利用辅助工具来测量晶圆接触角的方法，先将晶圆放置在测量仪器的测量平台上，并将尺寸与晶圆相匹配的辅 |
| 24 | CN102354674B | 多工艺机台的工序控制方法 | 2016.06.22 | 本发明提供多工艺机台的工序控制方法，以便提高机台WPH，该工序控制方法包括步骤：选择多工艺机台的瓶颈 |
| 25 | CN102945832B | 闪存器件的形成方法 | 2016.08.17 | 一种闪存器件的形成方法，包括：半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域表面具有隧穿氧化层和浮栅层； |
| 26 | CN103165673B | 一种沟槽型绝缘栅场效应管 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括N型外延层下形成有P型注入层，N型外延层上部形成有沟槽，沟 |
| 27 | CN103630290B | 带旁路保护的铝刻蚀腔压力计管路 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种带旁路保护的铝刻蚀腔压力计管路，包括下腔体、压力计焊接管路、加热器及压力计，其中所述 |
| 28 | CN102412159B | 形成UMOS晶体管和ESD电路的方法 | 2016.06.08 | 一种形成UMOS晶体管和ESD电路的方法，包括：提供基底，基底具有凹槽，凹槽的侧壁形成有栅介质层；形 |
| 29 | CN102856337B | 像素单元、CMOS图像传感器及像素单元的制作方法 | 2016.06.08 | 一种像素单元，包括：具有感光区域的基底、自下而上位于所述感光区域上的氧化硅层与氮化硅层。此外，本发明 |
| 30 | CN102779745B | 控制沟槽晶体管栅介质层厚度的方法 | 2016.07.06 | 一种控制沟槽晶体管栅介质层厚度的方法，包括：提供测试衬底，测试衬底具有器件区及相邻器件区之间的切割道 |
| 31 | CN103320855B | 多晶硅薄膜层淀积方法 | 2016.08.10 | 一种多晶硅薄膜层淀积方法，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料层，各材料层位于不同区域，或 |
| 32 | CN103822948B | 半导体器件的测试方法 | 2016.06.08 | 一种半导体器件的测试方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上 |
| 33 | CN102621390B | 方块电阻测量方法以及方块电阻测量装置 | 2016.09.07 | 本发明提供了一种方块电阻测量方法以及方块电阻测量装置。根据本发明的一种方块电阻测量方法包括：在方块电 |
| 34 | CN103389771B | 低功耗电压调节电路 | 2016.08.10 | 本发明公开一种低功耗电压调节电路，包括电荷泵、比较器、第一电容、第二电容、第一电阻及第二电阻，该比较 |
| 35 | CN103681818B | 消除闩锁效应的沟槽型绝缘栅双极型晶体管器件结构及方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种增强绝缘栅双极型晶体管IGBT可靠性的器件结构，在N型衬底上有P型离子注入的低基极电 |
| 36 | CN105810680A | JFET及其制造方法 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种JFET，集成于LDMOS中，JFET的栅极区和LDMOS的沟道区共用，JFET和L |
| 37 | CN105786081A | 基准电压源电路 | 2016.07.20 | 本发明公开了一种基准电压源电路，包括：偏置电路，其第一和二NMOS管都工作于亚阈值区域并且两者之间的 |
| 38 | CN105789129A | 改善栅极侧墙形貌的方法及半导体器件制造方法 | 2016.07.20 | 本发明提供一种改善栅极侧墙形貌的方法以及半导体器件制造方法，在形成的侧墙层表面上覆盖一层保护层，该保 |
| 39 | CN103368570B | 流水线模数转换器的数字校正电路 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种流水线模数转换器的数字校正电路，采用逐级运算的方式将运算分配到进行数字码同步的各级第 |
| 40 | CN103812138B | 一种供电系统及供电方法、检测系统及检测方法 | 2016.08.17 | 本发明涉及一种供电系统及供电方法、检测系统及检测方法。所述供电系统包括：第一供电接口、电源单元、继电 |
| 41 | CN103811469B | 测试结构和测试方法 | 2016.08.17 | 一种测试结构和测试方法，其中，测试结构包括：对称导电结构，对称导电结构平行于衬底表面方向的图形具有第 |
| 42 | CN103823501B | 对基准电流的温度系数进行补偿的电路 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种对基准电流的温度系数进行补偿的电路，其特征在于，包括：正温度系数电流产生单元，用于产 |
| 43 | CN105731368A | 半导体结构的形成方法 | 2016.07.06 | 一种半导体结构的形成方法，包括：一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面 |
| 44 | CN105679660A | 沟槽型超级结的制造方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面形成有第一导电类型外延层的晶圆；步 |
| 45 | CN105700610A | LDO电路 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种LDO电路,包括：LDO主体电路和衬底选择电路；主体电路的驱动管由MOS晶体管组成， |
| 46 | CN105741882A | 存储器内读操作定时器数值的测试方法及装置 | 2016.07.06 | 一种存储器内读操作定时器数值的测试方法及装置。所述方法包括：向所述存储器内输入地址信号以及控制信号， |
| 47 | CN105914138A | PIP电容的工艺方法 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种PIP电容的工艺方法，包含如下步骤：步骤1，在浅槽隔离结构上淀积M‑Poly并回刻； |
| 48 | CN103871838B | 功率器件的制造方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种功率器件的制造方法，包括步骤：步骤一、在硅片的正面完成正面工艺，包括涂布聚酰亚胺。步 |
| 49 | CN105895153A | 存储器及其干扰检测和消除的方法、装置 | 2016.08.24 | 一种存储器及其干扰检测和消除的方法、装置。所述存储器包括：存储阵列及与所述存储阵列耦接的位线选通电路 |
| 50 | CN103400764B | 双极型晶体管的形成方法 | 2016.12.28 | 一种双极型晶体管的形成方法，所述双极型晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成N |
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